2024年4月9日消息，据国家知识产权局公告，比亚迪002594）半导体股份有限公司申请一项名为“电子设备、功率器件、元胞结构及其制造方法“，公开号CN117855247A，申请日期为2022年9月。

　　专利摘要显示，本申请提供一种电子设备、功率器件、元胞结构及其制造方法，元胞结构包括：第一导电类型的衬底、第一导电类型的漂移区、第二导电类型的阱区、在第二导电类型的阱区内部或者表面的金属材料区、第二导电类型的注入区、第一导电类型的源极区。本技术方案通过在第二导电类型的阱区内部或者表面设置金属材料区，进而改变了第二导电类型的阱区的电势，同时维持高压功率器件的阈值电压保持不变。

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