所谓选择性发射极（SE-selectiveemiter）晶体硅太阳电池，即在金属栅线（电极）与硅片接触部位进行重掺杂，在电极之间位置进行轻掺杂。这样的结构可降低扩散层复合，由此可提高光线的短波响应，同时减少前金属电极与硅的接触电阻，使得短路电流、开路电压和填充因子都得到较好的改善，从而提高转换效率。
在太阳电池的众多参数中，发射极（dopantprofile）是最能影响转换效率的参数之一。
适当提高方块电阻可提高开路电压和短路电流，但是在丝网印刷方式下，Ag电极与低表面掺杂浓度发射极的接触电阻较大，最终会由于填充因子的下降从而引起转换效率降低。
为了同时兼顾开路电压、短路电流和填充因子的需要，选择性发射极电池是比较理想的选择，即在电极接触部位进行重掺杂，在电极之间位置进行轻掺杂。
传统结构的太阳电池n+扩散层方阻一般在40-50Ω/□，而SE结构的太阳电池的浅扩散方阻一般在80-100Ω/□，在电极下的重掺方阻则低于40Ω/□。
在丝网印刷工艺下，前栅接触电阻、体电阻和扩散层薄层电阻对串联电阻贡献最大。
根据金属-半导体接触电阻理论，接触电阻与金属势垒（barrierheight）和表面掺杂浓度（Nb）有关，势垒越低，掺杂浓度越高，接触电阻越小。
当杂质浓度大于1017cm-3时，Auger复合是半导体中主要的复合机制，而Auger复合速率与杂质浓度的平方成反比关系，所以SE的钱扩散可以有效减少载流子在扩散层横向流动时的Auger，提高载流子收集效率。
对于AM1.5G而言，月20%能量的入射光的吸收发生在扩散层内，所以浅扩散可以提高这些短波段太阳光的量子效率，提高短路电流；同时，由于存在一个横向的（n++-n+）高低结，和传统结构相比，还可提高开路电压。
尽管SE太阳电池目前还没有进入大规模量产阶段，但选择性发射极电池的高转换效率，为降低生产成本带来的效益不可小觑。待工艺技术匹配更加完善之后，在未来的几年内有望成为光伏市场的热门产品。（作者 沈辉）
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选择性发射极(iveemitter,SE)太阳电池，即在金属栅线与硅片接触部位及其附近进行高浓度掺杂，而在电极以外的区域进行低浓度掺杂。这样既降低了硅片和电极之间的接触电阻，又降低了表面的复合，提高了少子寿命，从而提高转换效率。（来源：微信公众号“摩尔光伏”ID：molepv）其实，早在1984年Soder就全
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